DDR內存不向後兼容SDRAM。
DDR內存采用184線結構，DDR內存不向下兼容SDRAM，需要專門為DDR設計的主板和系統。
DDR-II內存將是現有DDR-I內存的替代品，它們的工作時鐘預計為400MHz或更高(包括現代在內的許多內存廠商表示不會推出DDR-II 400內存產品)。根據JEDEC組織者制定的DDR-II標準，用於PC和其他市場的DDR-II存儲器將具有不同的時鐘頻率，如400、533、667MHz。
高端DDR-II內存將有800-，1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將在FBGA采用200針、220針和240針封裝。原DDR-II內存將采用0.13微米的生產工藝，內存顆粒電壓為1.8V，容量密度為512MB。DDR-II將使用與DDR-I存儲器相同的指令，但新技術將使DDR-II存儲器具有4到8個脈沖的寬度。DDR-II將包含新的性能指標和中斷指令，如CAS、OCD和ODT。DDR-II標準還提供了4位和8位512MB內存1KB、16位512MB內存2KB的尋址設置。
DDR-II內存標準還包括4位的4位預取，DDR-I技術的預取位只有2位。
DDR3的市場推出時間預計在2006年下半年，最高數據傳輸速度標準將達到1600Mbps。然而，在具體設計方面，DDR3和DDR2的基礎設施並沒有根本的不同。從某種角度來說，DDR3的誕生是為了解決DDR2發展的局限性。
由於DDR2的數據傳輸頻率已經達到800MHz，其核心工作頻率已經達到200MHz，因此很難對其進行升級，這就需要新的技術來保證速度的可持續發展。另壹方面，由於速度的提高，存儲器的地址/命令和控制總線需要全新的拓撲結構，業界也要求存儲器具有更低的能耗。因此，DDR3需要滿足以下要求:
更高的外部數據傳輸速率
更先進的地址/命令和控制總線拓撲結構。
在保證性能的同時進壹步降低了能耗。
為了滿足上述要求，DDR3在DDR2的基礎上采用了以下新設計:
8位預取設計，DDR2是4位預取，所以DRAM核心的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
采用點對點拓撲結構，以減輕地址/命令和控制總線的負擔。
采用100nm以下生產工藝，工作電壓由1.8V降至1.5V，並增加了異步復位和ZQ校準功能。
讓我們將DDR3與DDR2進行比較，以便更好地了解未來DDR SDRAM家族的最新成員。
DDR3和DDR2的區別
1，邏輯庫號
DDR2 SDRAM有4庫8庫，目的是為了滿足未來大容量芯片的需求。DDR3很可能是從2Gb容量開始，所以初期的邏輯庫是8個，也為未來的16邏輯庫做好了準備。
2.包裝
DDR3有壹些新功能，所以管腳會增加。8位芯片采用78球FBGA封裝，16位芯片采用96球FBGA封裝，DDR2有60/68/84球FBGA封裝三種規格。而且DDR3必須是綠色包裝，不能含有任何有害物質。
3.突發長度(BL，突發長度)
因為DDR3的預取是8位，所以突發長度(BL)也固定為8。對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的。為此，DDR3增加了4位突發模式，即使用BL=4的讀操作和BL=4的寫操作來合成BL=8的數據突發傳輸。而且需要指出的是，任何突發中斷操作在DDR3內存中都會被禁止和不支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制(比如4位順序突發)。
3.尋址時序
就像DDR2從DDR轉型後延遲期數量增加壹樣，DDR3的CL期也會比DDR2高。DDR2的CL範圍壹般在2到5之間，而DDR3在5到11之間，附加延遲(al)的設計也有所變化。在DDR2，AL的範圍是0到4，而在DDR3中，AL有三個選項，即0、CL-1和CL-2。此外，DDR3還增加了壹個新的時序參數——寫延遲(CWD)，這將取決於具體的工作頻率。
4.新功能-重置
復位是DDR3的壹個重要新功能，為此專門準備了壹個管腳。DRAM行業要求這個功能已經很久了，現在終於在DDR3上實現了。此引腳將簡化DDR3的初始化。當復位命令有效時，DDR3存儲器將停止所有操作，並切換到最小活動狀態以節省功率。在復位期間，DDR3存儲器將關閉其大部分內部功能，因此所有數據接收器和發送器都將關閉。所有內部編程設備將被重置，DLL和時鐘電路將停止工作，並忽略數據總線上的任何移動。這樣DDR3就達到了最省電的目的。
5.新功能-ZQ校準
ZQ也是壹個新引腳，壹個240歐姆低容差基準電阻連接到該引腳。此引腳通過命令集和片內校準引擎(ODCE)自動檢查數據輸出驅動器的導通電阻和ODT的端電阻。當系統發出該指令時，導通電阻和ODT電阻將用相應的時鐘周期重新校準(通電和初始化後512個時鐘周期，自刷新操作後256個時鐘周期，其他情況下64個時鐘周期)。
6、參考電壓分為兩路
參考電壓信號VREF對於存儲系統非常重要，在DDR3系統中會分成兩個信號。壹個是用於命令和地址信號的VREFCA，壹個是用於數據總線的VREFDQ，這將有效提高系統數據總線的信噪比水平。
7.根據溫度自刷新溫度(SRT)。
為了保證存儲的數據不丟失，DRAM必須定期刷新，DDR3也不例外。不過為了最大程度的省電，DDR3采用了全新的自動自刷新設計(ASR)。當ASR啟動時，刷新頻率將由DRAM芯片內置的溫度傳感器控制，因為如果刷新頻率高，功耗就會大，溫度也會升高。另壹方面，溫度傳感器在不丟失數據的情況下，盡可能降低刷新頻率和工作溫度。但是DDR3的ASR是可選設計，市面上並不是所有的DDR3內存都支持這個功能，所以多了壹個功能，即自刷新溫度(SRT)。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度範圍，壹個是普通溫度範圍(例如0℃到85℃)，另壹個是擴展溫度範圍，例如高達95℃。對於DRAM中設置的這兩個溫度範圍，DRAM將以恒定的頻率和電流刷新。
8.本地自刷新(RASR)。
這是DDR3的壹個選項。利用該功能，DDR3內存芯片可以只刷新部分邏輯庫，而不是全部，從而最大限度地降低自刷新帶來的功耗。這類似於移動DRAM的設計。
9.點對點連接(P2P)
這是提高系統性能的重要變化，也是與DDR2系統的關鍵區別。在DDR3系統中，壹個內存控制器只會處理壹個內存通道，並且這個內存通道只能有壹個插槽。因此，內存控制器與DDR3內存模塊之間的關系是點對點(單物理庫模塊)或點對兩點(雙物理庫模塊)，從而大大降低了地址/命令/控制和數據總線的負載。內存模塊方面，與DDR2類似，也有標準DIMM(臺式PC)、so-DIMM/micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(服務器)，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2(高級內存緩沖區)。但是目前DDR3內存條的標準制定才剛剛開始，管腳設計還沒有最終確定。
除了以上九點，DDR3在電源管理和多用途寄存器方面也有新的設計，不過由於還在討論階段，並不是太重要，所以這裏就不詳細介紹了。我們來總結壹下DDR3和DDR2的對比:
對比DDR2和DDR3的規格，業界認為DDR3-800將局限於高端應用市場，有點像今天DDR2-400的待遇。預計DDR3在桌面上的啟動速度為1066MHz。
從整體規格來看，DDR3在設計思路上與DDR2差別不大，提升傳輸速率的方式依然是增加預取位數。但是，就像DDR2和DDR的對比壹樣，在相同的時鐘頻率下，DDR2和DDR3的數據帶寬相同，但DDR3的速度提升潛力更大。因此，我們不必壹開始就對DDR3抱有太大期望，就像我們當初對DDR2那樣。當然，在能耗控制方面，DDR3顯然要好得多，所以它很可能會最先受到移動設備的歡迎，就像DDR2內存不是桌面，而是服務器壹樣。在CPU外頻提升最快的PC桌面領域，DDR3未來也將經歷壹個緩慢升溫的過程。