W/m·K，高於碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率超過15000 cm2/V·s，又比納米碳管或矽晶體高，而電阻率只約10-8
Ω·m，比銅或銀更低，為世上電阻率最小的材料，因而其也是壹種非常優秀的半導體材料，被寄希望於發展更薄、導電速度更快的新壹代電子元件或晶體管。
碳化矽是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化矽時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化矽為應用最廣泛、最經濟的壹種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。
目前中國工業生產的碳化矽分為黑色碳化矽和綠色碳化矽兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。