W/m·K,高於碳納米管和金剛石,常溫下其電子遷移率超過15000 cm2/V·s,又比納米碳管或矽晶體高,而電阻率只約10-8
Ω·m,比銅或銀更低,為世上電阻率最小的材料,因而其也是壹種非常優秀的半導體材料,被寄希望於發展更薄、導電速度更快的新壹代電子元件或晶體管。
碳化矽是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化矽時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化矽為應用最廣泛、最經濟的壹種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。
目前中國工業生產的碳化矽分為黑色碳化矽和綠色碳化矽兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。