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德国infineon（英飞凌）公司生产的IGBT模块品种多样，为了使客户选型方便，我们这里按电压等级进行分类，***有600V/650V 、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五种电压等级。
IGBT3的元胞结构从平面型变成了空调型。汇率型IGBT中，电子沟道垂直于 硅片表面，取消了JFET结构，增加了表面沟道密度，提高了近表面载流子浓度，从而使性能更加优化。纵向结构方面，为了缓解堵塞电压与雨水压降之间的矛盾，英家 于2000年推出了Field Stop IGBT，目标是首先减少一个区厚度，从而降低电压。场终止（Field Stop）IGBT起始材料和NPT相同，都是低掺杂的N-侧壁，不同的是FS IGBT内部多注入了一个N缓冲层，其掺杂浓度略高于N-因此，可以迅速降低促成强度，使整体走向呈阶梯形，从而使所需的N-所需区厚度大幅减小。