霍爾效應是電磁效應的壹種，是美國物理學家霍爾(E.H.Hall，1855-1938)在1879年研究金屬導電機理時發現的。
當電流垂直於外磁場通過半導體時，載流子會發生偏轉，產生壹個垂直於電流和磁場方向的附加電場，從而在半導體兩端產生電勢差。這種現象就是霍爾效應，這種電位差也叫霍爾電位差。霍爾效應由左手定則判斷。
補充:
當對半導體施加垂直於電流方向的磁場時，半導體中的電子和空穴會受到不同方向的洛侖茲力向不同方向聚集，聚集的電子和空穴之間會產生電場。電場力和洛倫茲力平衡後，就不再聚集了。
此時，電場會使後面的電子和空穴受到電場力的作用，以平衡磁場產生的洛倫茲力，使後面的電子和空穴能夠順利通過而不發生偏移，這就是所謂的霍爾效應。產生的內置電壓稱為霍爾電壓。