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pn结反向击穿有哪几种?

有两种,雪崩击穿和齐纳击穿

雪崩击穿:当PN结逆向电压增加时,空间筏区中的洪水随之增强。这样,通过空间筏区的电子和空穴,就会在电场作用下获得的能量增加,在晶体中运动的电子和空穴会不断地与晶体原子又发生碰撞,当电子和空穴的能量足够大时,通过这样的碰撞作用***价键中的电子激发形成自由电子空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动,重新获得能量,又可以通过碰撞,再产生电子空穴穴对,这就是载流子的倍增效应。当逆向电压增加到一定数值后,载流子的倍增情况就像在陡峭的积雪山坡上发生雪崩一样,载流子增加倍数而快,这样,逆向电流剧增,PN结就发生雪崩击穿。

齐纳击穿:在加有前面的逆向电压下,PN结空间电荷区中存一个强如果,它能够破坏***价键,将束缚电子脱离产生电子空穴对,形成更大的逆流。发生齐纳击穿需要的审议强度约为2×105V/cm,这只有在胎儿浓度特别大的PN结中才能达到。突变浓度大,空间气压不稳定密度(即胎儿离子)也大,因此空间气压不稳定,因为重力可能会很大。

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