這可以看成是壹個電容負反饋，驅動前，Crss上是高電壓，當驅動波形上升
到門檻電壓時，MOSFET導通，D極電壓急劇下降，通過Crss拉低G腳驅動電壓，
如果驅動功率不足，將在驅動波形的上升沿門檻電壓附近留下壹個階梯。
或者2.在MOS導通的瞬間，會經過米勒效應區（可理解為放大區），
輸入電容Cgs=C1+C2,此時的C1不再是靜態的電容，而是C1=Cdg(1+A),A是放大系數。
當驅動電流（Ig=Cgs*dVds/dt）給Cgs充電時，由於米勒效應等效到輸入端的電容會放大N倍，
輸入電容突然增大，所以導致了充電電壓的壹個平臺，有時甚至會有壹個下降尖峰趨勢平臺（如上圖），
而這個平臺增加了MOS的導通時間，造成了我們通常所說的導通損耗。
其實米勒效應描述的就是電子器件中輸出和輸入之間的電容反饋。