掩模光刻機利用類似的照相印刷技術，通過曝光將掩模上的精細圖案印刷到矽片上。
光刻機的主要性能指標有:支持襯底的尺寸範圍、分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。
2018 165438+10月29日，國家重大科研裝備研制項目“超分辨率光刻裝備研制”通過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制，光刻分辨率達到22 nm。結合雙曝光技術，未來還可以用來制造10 nm級別的芯片。
光刻機的原理是什麽？
和沖洗出來的照片有相似之處，但又不盡相同。
沖洗照片就是把需要沖洗的照片從底片沖洗到相紙上，或者把原來底片上的圖像放大到相紙上。
光刻機縮小了大底片，也就是把集成電路圖縮小成了晶片相紙。
這與沖洗和打印放大機的結果正好相反。
為什麽原理上不難的機器門檻很高？難點在於它的準確性。所謂量變，產生了質變。
如果我們畫電路圖，畫在A4大小的紙上，壹點也不難，很多人都能做到。
這個話題扯得有點遠，然後回到掩模對準器。
在A4大小的紙上畫畫相對容易。但是在郵票上畫電路要困難得多。讓我們想象壹下，在壹粒米或壹粒沙子上畫電路更難。
不僅如此，如果妳想把這塊沙子放在壹輛行駛中的賽車上，讓妳在運動中追上其他賽車，在擋風玻璃的沙子上畫電路圖幾乎是不可能的。
雖然都有壹個名字，叫畫電路圖，但難度因環境、介質、大小而異。
所以光刻機也分低端和高端。10 nm以下的屬於高端光刻機。
筆的粗細與繪圖上呈現的內容量不同。筆尖越細，能畫的內容越多，難度越大，高端越高。同樣，還有沙子的大小。沙子越小，筆尖越細，畫的內容越多，難度越大。
目前光刻機最先進的技術是5納米。5納米大約是50個原子寬。
原子的實際大小大約是黃色光波的5000到2000倍。在這種極端的精準下，很多原本可以忽略的細節，都變成了障礙和困難。
比如賽車時對震動極其敏感，比如關門，這可能是災難性的。所以必須搭配極其精準的減震系統。
喜歡攝影的朋友都知道，在攝影的過程中，很重要的壹個參數就是曝光。沖印照片也有曝光問題。曝光量和時間長短會影響成像效果。
光源，它是用來畫畫的。它必須頻率穩定，能量均勻，並行度高。任何不準確的曝光都會嚴重影響成像質量。
所以運動狀態下的控制精度必須是納米，稍有偏差，成像就會出錯。
掩模對準器比我們想象的要復雜得多。可以說，光刻機幾乎是人類歷史上最精密的機械設備。
有人說，芯片的生產靠花錢。錢肯定是要的，但也有環境問題和以上要素。
科學永遠不可能是假的。