超高純金屬濺射靶材是指金屬材料的純度達到9N（99.9999999%）以上，也就是純度高於99.9999999%。超高純金屬濺射靶材的制備需要采用特殊的制備工藝和設備，以保證材料的高純度，從而可以在制備半導體器件和其他高精度電子元件時提供高品質的金屬薄膜。
相比之下，高純金屬濺射靶材的純度通常在6N（99.9999%）以上，低於超高純金屬濺射靶材的純度。雖然高純金屬濺射靶材的純度比壹般工業金屬要高很多，但在制備高精度電子元件時，其雜質含量和氧化物含量可能會對元件性能產生不利影響。
因此，半導體用超高純金屬濺射靶材和高純金屬濺射靶材在應用中也存在差異。超高純金屬濺射靶材主要用於制備高精度電子元件和半導體器件，而高純金屬濺射靶材則更適用於其他需要較高純度金屬薄膜的應用場合。