它的優點：亮度高、工作電壓低、功耗小、微型化、易與集成電路匹配、驅動簡單、壽命長、耐沖擊、性能穩定。
在電工儀器及控制設備中廣泛用作信號、狀態指示、數碼顯示以及各種圖形顯示等。
它的主要缺點是LED的價位很高，尤其是高亮度級的或特殊顏色的。
半導體激光器
前蘇聯科學家H.Γ.巴索夫於1960年發明了半導體激光器。半導體激光器的結構通常由P層、N層和形成雙異質結的有源層構成。其特點是：尺寸小，耦合效率高，響應速度快，波長和尺寸與光纖尺寸適配，可直接調制，相幹性好。